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等離子增強化學氣相沉積系統

簡要描述:等離子增強化學氣相沉積系統
配有Plasma實現等離子增強,滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處,使樣品能得到一個快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下,得到快速的降溫速率。選配氣氛微調裝置,可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力帶刻度的調節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實用,工藝重復性好,對于石墨烯生長工藝非常合適,也適用于要求快速升降溫的CV

  • 產品型號:TF1200-PECVD型
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2018-11-06
  • 訪  問  量:3042
詳細介紹
產地類別國產

TF1200-PECVD型等離子增強化學氣相沉積系統

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor

Deposition)  等離子體增強化學氣相沉積法

等離子增強化學氣相沉積系統

設備介紹: 

本設備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發(fā)生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。

產品簡介

此款設備配有Plasma實現等離子增強,滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處,使樣品能得到一個快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下,得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置,可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力,帶刻度的調節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實用,工藝重復性好,對于石墨烯生長工藝非常合適,也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。

主要組成系統及特點:

 

本設備主要由管式加熱爐體,真空系統,質子流量供氣系統,射頻等離子源,石英反應腔室等部件組成。

要特點:

    1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。

    2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低。

    3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小。

    4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、*性和穩(wěn)定性高。

    5、廣泛應用于:各種薄膜的生長,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。

 

 

開啟式真空管式爐技術參數

 

 

 

 

石英管尺寸

L1400mm  *(根據需求選擇不同直徑的石英管作為反應室。有Φ40,Φ60,Φ80,Φ100,Φ120,Φ150等規(guī)格可選。)

加熱元件

摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲

測溫元件

K型熱電偶

加熱區(qū)長度

400mm  

恒溫區(qū)長度

200mm

工作溫度

≤1100℃

控溫模式

模糊PID控制和自整定調節(jié),智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報警功能

控溫精度

±1℃

升溫速率

≤20℃/min

電功率

AC220V/50HZ/3KW

質量供氣系統技術參數(根據需求選擇多路質子流量供氣系統。有兩路GQ-2Z,三路GQ-2Z,四路GQ-2Z,五路GQ-2Z或更多路供選擇。)

 

 

 

 

 

外形尺寸

600x600x600mm

標準量程

50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(ArN2;

數顯壓力表測量范圍

-0.1Mpa~0.15Mpa

極限壓力

3MPa

針閥

316不銹鋼

截止閥

Φ6mm 316不銹鋼針閥

電功率

AC220V/50HZ/20W

響應時間

氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec

準確度

±1.5%

線性

±0.5~1.5%

重復精度

±0.2%

接口

Φ6,1/4''

真空系統技術參數(根據需求選擇不同真空效果的真空系統。有DZK10-1(極限真空0.1Pa),GZK10-3(極限真空0.001Pa),以及進口高真空機組(極限真空0.0001Pa)供選擇。)

 

 

 

 

 

外型尺寸

600×600×600mm

工作電電壓

220V±10%  50~60HZ

功率

400W

抽氣速率

4Ls

極限真空

4X10-2Pa

實驗真空度

1.0X10-1Pa

容油量

1.1L

進氣口口徑

KF25

排氣口口徑

KF25

轉速

1450rpm

射頻電源(根據需求選擇強度不同的射頻電源。有DLZ300(300W),DLZ500(500W)或更大功率的射頻電源供選擇)

 

信號頻率

13.56 MHz±0.005%

功率輸出范圍

5-300W   5W-500W可選

最大反射功率

200W

射頻輸出接口

50 Ω, N-type, female

功率穩(wěn)定度

±0.1%

諧波分量

≤-50dbc

供電電壓

單相交流(187V-253V) 頻率50/60HZ

整機效率

>=70%

功率因素

>=90%

冷卻方式

強制風冷

 

艾科迅部分客戶(CVD及PECVD及管式爐系列)

等離子增強化學氣相沉積系統

常見PECVD系統組合

   1. 1200度60滑軌式微型管式爐,低真空系統,四路質子流量供氣系統,300W射頻電源

    TF1200-60S-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ300

   2. 1200度60滑軌式管式爐,低真空系統,四路質子流量供氣系統,500W射頻電源

    TF1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

   3. 1200度60雙溫區(qū)滑軌式管式爐,低真空系統,四路質子流量供氣系統,500W射頻電源

    TF1200-60II-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

   4. 1200度60三溫區(qū)滑軌式管式爐,低真空系統,四路質子流量供氣系統,500W射頻電源

    TF1200-60III-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

   5. 1200度60微型預熱爐,1200度60滑軌式管式爐,低真空系統,四路質子流量供氣系統,500W射頻電源

    TF1200-60S,MXG1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

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